一、成果名称

SiC 漂移阶跃恢复二极管开关

二、项目介绍

1.详情

SiC 漂移阶跃恢复二极管开关（DSRD）是一种半导体开关二极管，一般应用于超宽谱(ultra wide band，简称 uwb)脉冲系统，是脉冲功率器件的核心。它具有纳秒级甚至皮秒级的开关时间，具有高效率、高稳定性、重量轻、结构简单等优点，因此在超快脉冲信号源中起到至关重要的作用，因此在高功率微波、超快激光及超快开关领域具有广泛的应用前景。

2.产品性能优势

关键技术包括开关绝缘处理、开关损伤抑制、开关散热优化等。可承受 10kv 以上电压、开关时间小于 200ps，寿命大于 10 的 7 次方、工作频率 20khz、功率 40GW 以上。

3.市场前景及应用

该技术在高功率微波、超快激光及超快开关领域具有广泛的应用前景。高功率微波器件主要应用方向在军事领域，据团队讲军方在该领域每年的投入几十亿元，产品定型后，开关未来的产值大约百万-千万级。军方研究网上披露的资料有华中大电气与电子工程学院梁琳，提出碳化硅基 RSD 器件结构及工艺方案，研制出国际首只芯片样品，并进一步扩展到碳化硅 DSRD。在民用领域主要应用在超快激光器和大功率脉冲（医用领域），这两个领域在国内还处于起步阶段。2020 年我国超快激光器市场规模已达 27 亿元，同比增长 10.2%。随着消费电子、新型显示、生物医疗、3D 打印、高端装备、生物医疗等新应用的发展，精密加工、生物医疗在未来仍有较大的发展空间。

4.技术成熟度：工程样机

5.合作要求：面议

6.负责人：张景文